安博电竞中国官方网站下载地址丫丫学电池系列之直拉法与区熔法
发布时间：2024-03-30 00:45:45
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本篇丫丫向我们展示了何谓“带着问题去学习”。丫丫在阅读前辈总结的“太阳能级硅单晶切片产品规格”贴子时产生了疑问，最后在论坛高手的帮助下找到了答案。
直拉法（CZ）全称Czochralski，是生产单晶硅棒最常用的工艺，将多晶体硅料放入坩埚中加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。
如果需要生长及高纯度的硅单晶，其技术选择是悬浮区熔提炼，该项技术一般不用于GaAs。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。
晶体的各向异性即沿晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体在不同方向的物理化学特性也不同，这就是晶体的各向异性。晶体的各向异性具体表现在晶体不同方向上的弹性模量、硬度、断裂抗力、屈服强度、热膨胀系数、导热性、电阻率、电位移矢量、电极化强度、磁化率和折射率等都是不同的。
Q1：为啥制备法限定直拉法？不是说悬浮区熔法得到的棒子纯度更高吗？是因为成本问题吗？两种方法制得的硅棒成本比大概是多少呢？
”提供）：区融法得到的是高纯单晶硅，制备方法一般是将一根多晶硅棒悬浮区融，将杂质赶到硅棒的另一侧，这样得到的是低杂质浓度、更低缺陷的单晶硅。因为材料非常纯，电阻值非常大，一般在变压器中使用，是不会用作电池材料的。
区融法的棒子非常贵，成本确实高。培养一个直拉法做单晶硅棒的人才一般需要3个月，区融法人才一年能培养出来就不错了，设备也很贵，原料也贵。
±3°的晶向具有哪些物理性质和化学性质呢？或者干脆问100、110、111三种晶向的物理和化学性质各有什么不同？最佳回答（由“dg11510
”提供）：画一个单晶硅晶胞，你会发现，不同晶向的原子面密度不一样，化学键强度也不一样，破坏所需要的能量也就不一样。碱腐蚀就是利用不同晶向的化学键强度不同腐蚀的，俗话说柿子要捡软的捏，一个道理，都是键强不同的结果。
)，在一定范围内原子发生了有规律的错动，都离开了他们原来的平衡位置，所以叫位错。所谓位错密度就是：在金属晶体中的位错是相当多的，通常以通过单位面积上的位错线的根数来衡量，称为位错密度。
10000000根/平方厘米，经过冷加工后可增加至00—000根/平方厘米，而且位错的组态也变得非常复杂，有时好像乱麻或乱发似的纠结在一起，称之为位错发团，其分布极不均匀。”那么这里的位错密度的要求其意义何在？
”提供）：位错密度可以定义为单位面积位错的根数，也可以定义为单位体积内位错的长度。不管如何定义，你求出来的结果都是一样的，看它们的单位就知道了，一个意思。
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