根据SEMI的预测，2019年中国半导体设备的销售额将达125亿美元。半导体产业的第三次转移，以及政策环境的利好，让中国半导体设备厂商有了更好的发展土壤。从目前的情况来看，中国半导体设备厂商前十都有哪些企业？
12月12日，据中国地区《经济日报》报道，国际半导体产业协会（SEMI）昨天发布报告指出，今年全球半导体设备销售金额将达621亿美元，年增长率为9.2%，超越去年的566亿美元，再创历史新高。
其中，韩国今年连续第二年成为全球最大设备市场，中国今年采购半导体设备金额正式挤下中国，成为全球第二大市场。SEMI预估，2019年中国半导体设备销售将达125亿美元。
半导体产业之风已至，政策环境利好国内半导体设备企业。下面，跟随芯师爷一起盘点中国十大半导体设备厂商（排名不分先后）。
中电科电子装备集团有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年，是在中国电子科技集团公司2所、45所、48所基础上组建成立的二级成员单位，属中国电子科技集团公司独资公司，注册资金21亿元，注册地为北京市丰台科技园。
公司是我国以集成电路制造装备、新型平板显示装备、光伏新能源装备以及太阳能光伏产业为主的科研生产骨干单位，具备集成电路局部成套和系统集成能力以及光伏太阳能产业链整线交钥匙能力。多年来，利用自身雄厚的科研技术和人才优势，形成了以光刻机、平坦化装备（CMP）、离子注入机、电化学沉积设备（ECD）等为代表的微电子工艺设备研究开发与生产制造体系，涵盖材料加工、芯片制造、先进封装和测试检测等多个领域；通过了ISO9001、GJB9001A、UL、CE、TüV、NRE等质量管理体系与国际认证。拥有国家光伏装备工程技术研究中心、国防科技工业军用微组装技术研究应用中心、国防科技工业有源层优化生长技术研究应用中心等国家级研发基地。
离子注入机是集成电路制造核心装备之一，是不可或缺的掺杂工艺设备，主要用于形成PN结等集成电路基本单元。在技术突破方面，先后突破中束流、低能大束流和高能离子注入机系列装备高品质离子束引出、束流均匀性控制、束流能量控制、能量和金属污染控制等关键技术，授权发明专利101项、国际专利2项。
在成果应用方面，首台应用于中芯国际量产晶圆过百万片的高端国产装备，首台应用于量子通信领域量子位制备的国产离子注入机。中束流、低能大束流离子注入机产线nm等工艺节点平台支撑拥有符合SEMI标准的产业化平台，具备年产50台的能力。
CMP是集成电路制造核心装备之一，是铜互连工艺不可或缺的设备，主要利用抛光液化学腐蚀和抛光垫机机械摩擦的综合平衡作用，对晶圆表面材料进行原子级精细去除。在技术突破方面，突破8英寸、12英寸CMP设备抛光头承载器、抛光区压力控制、在线重点检测等六大核心技术。授权发明专利42项，申请国际专利5项。
在成果应用方面，国内首台具有自主知识产权的8英寸CMP商用机，进入中芯国际（天津）大生产工艺线考核验证，填补了国内空白。12英寸CMP设备样机进入联调阶段。为军用太赫兹、CPU等特种元件制造提供CMP设备十余台。平台支撑拥有北京市化学平坦化工艺设备工程技术研究中心，具备CMP设备及工艺研发，小批量生产条件。
湿法工艺设备是集成电路生产线用量最多的关键设备之一，占制造工序总量的20%-30%。在技术突破方面，突破了工艺适应性和化学液温度、浓度、均匀性等工艺参数控制技术难点，形成了覆盖4-12英寸的晶圆槽式批处理、单晶圆湿法处理、晶圆级电化学镀制等设备产品系列。
在成果应用方面，产品在集成电路、功率半导体、半导体照明、电子级硅料等领域广泛应用。平台支撑拥有湿法工艺设备实验室，具备年产1000台（套）以上的能力。
浙江晶盛机电股份有限公司创建于2006年12月，是一家以“发展绿色智能高科技制造产业”为使命的高端半导体装备和LED衬底材料制造的高新技术企业。公司于2012年5月在创业板上市，下属9家子公司，3个研发中心，其中一个海外研发中心，拥有工业4.0方向的省级重点研究院、省级晶体装备研究院等研究平台、博士后工作站。
公司以技术创新作为持续发展的动力源泉。相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉，成功开发并销售多种光伏智能化装备，并布局高效光伏电池和组件等其他装备的研发，努力打造光伏产业链装备最齐全、技术最强的装备龙头企业。
在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及核心加工装备的国产化；成功掌握国际领先的超大尺寸300kg、450kg级蓝宝石晶体生长技术，蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力并逐步形成规模优势；在工业4.0方向，公司为光伏产业、半导体产业和LED产业提供智能化工厂解决方案，满足了客户对“网络化+智能制造”“机器换人”的生产技术需求。
ABS812-ZJS型半导体单晶硅截断机是一款针对大尺寸半导体单晶硅棒截断的专用加工设备，可加工硅棒直径兼容8”和12”，硅棒最大加工长度可达3300mm。该设备采用带锯切割，具有截断、去头尾、切样片等功能，带锯切割具有切割效率高、断面质量好等特点。设备技术具有国际先进水平。
全自动晶体滚磨机是国内首创的一种全自动2-6英寸晶棒磨外圆、定向、磨平边复合加工的一体化设备，该设备集成了原来需要三台不同加工功能设备完成的晶棒磨外圆、定向、磨平边等三道加工工序, 该设备可兼容多种半导体晶棒的加工，如：蓝宝石、单晶硅、碳化硅等。设备技术具有国际先进水平。
深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司是一家高速发展的新能源装备研发制造企业。2003年，公司的前身创立于广东省深圳市。2018年8月10日，捷佳伟创公司在创业板成功上市。公司在深圳坪山区在建六万多平方米工业园，在常州新北区自建三万多平方米工业园,员工总数超过1500人。
公司的产品包括单/多晶制绒设备、管式扩散氧化退火炉、湿法刻蚀设备、管式等离子体淀积炉、智能自动化设备等五大产品系列。公司不仅可以为客户提供晶体硅高效电池生产设备，也提供晶体硅电池“交钥匙工程”系统解决方案以及晶体硅电池智能制造车间系统。
全自动硅片上料机ZP-Ⅲ，主要用于将堆叠的硅片自动装入片篮中，并将片篮自动送入下一道工序使用。
北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）是由北京七星华创电子股份有限公司（以下简称“七星电子”）和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的领先企业。
北方华创拥有半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四个事业群，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。
其中金属刻蚀工艺模块用于进行金属刻蚀工艺，去胶模块用于去除金属刻蚀后的残余光刻胶和残余腐蚀性气体，冷却模块用于为晶圆降温，传输模块用于把硅片安全而准确地传送到指定工位，电源柜用于为系统提供电源，控制柜用于协调调度各个模块的运转。NMC508M铝金属刻蚀机通过独特的腔室结构和温度控制设计，提供优良的颗粒控制能力，维护便利，大幅提升了设备的稳定性、重复性和生产工艺水平。
NMC508C 8英寸等离子刻蚀机，是电感耦合高密度等离子体干法刻蚀机，主要用于200mm硅片的多晶硅硅栅(poly gate)、浅沟槽隔离(STI)和硅的金属钨化物(WSix)刻蚀。NMC508C为多腔室集群设备(Cluster Tool)，它是一个全自动化的，能够进行串行或并行工艺处理的刻蚀系统。
该系统主要由工艺模块(Process Module)、传输模块(Transport Module)、电源柜(Remote AC Power Rack)和控制柜(Control Rack)组成，其中工艺模块用于为硅片进行工艺提供环境，传输模块用于把硅片安全而准确地传送到指定工位，电源柜用于为系统提供电源，控制柜是设备整体的控制核心，负责协调调度各个模块的运转。
中微半导体设备有限公司（简称“中微”），是一家面向全球的微观加工高端设备公司，为半导体行业及其他高科技领域服务。
中微总部位于亚洲，设备用于创造世界上最为复杂、精密的技术：微小的纳米器件为创新型产品提供智能和存储功能。中微已经成为新型的微观加工高端设备公司，在提高技术水平和生产效率方面取得了重大突破，并且赢得了业内顶尖芯片制造商和其他技术创新企业的信任。
Primo AD-RIE™是中微公司用于流程前端（FEOL）及后端（BEOL）关键刻蚀应用的第二代电介质刻蚀设备，主要用于22纳米及以下的芯片刻蚀加工。基于前一代产品Primo D-RIE刻蚀设备已被业界认可的性能和良好的运行记录，Primo AD-RIE做了进一步的改进：采用了具有自主知识产权的可切换低频的射频设计，优化了上电极气流分布及下电极温度调控的设计。
Primo AD-RIE已经成功通过了3000片晶片马拉松测试。除已证实其具备更优越的重复性及稳定性以外，该产品还可将晶片上关键尺寸均匀度控制在2纳米内。
中微的8英寸硅通孔（TSV）刻蚀设备Primo TSV200E™结构紧凑且具有极高的生产率，可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之后，中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。
Primo TSV200E的核心在于它拥有双反应台的反应器，既可以单独加工单个晶圆片，又可以同时加工两个晶圆片。中微的这一TSV刻蚀设备可安装多达三个双反应台的反应器。与同类竞争产品仅有单个反应台的设备相比，中微TSV刻蚀设备的这一特点使晶圆片产出量近乎翻了一番，同时又降低了加工成本。
此外，该设备具有的去耦合高密度等离子体源和偏置电压使它在低压状态下提高了刻蚀速率，并能够在整个工艺窗口中实现更高的灵活度。中微具有自主知识产权的气体分布系统设计也提高了刻蚀速率和刻蚀的均匀性，并在整个加工过程中优化了工艺性能，射频脉冲偏置则有效减少了轮廓凹槽。
上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)于2002年在张江高科技园区正式成立。今年3月份，90nm光刻机项目通过正式验收。
SMEE主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。公司设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。
SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。该设备可用于8寸线寸线的大规模工业生产。
SWA系列是专为晶圆键合开发的对准设备，用于键合工艺中的晶圆的对准。SWA对准设备能够满足各类透明、半透明、不透明基底的键合对准需求。
SWB系列是面向半导体工艺中的基底键合需求而开发和量产的键合设备，应用领域广泛，覆盖多种基底键合工艺的参数范围，包括有机胶黏键合、玻璃浆料键合、共晶键合、阳极键合等。
北京京运通科技股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2002年8月8日，注册资本为199,529.7701万元人民。
