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安博电竞中国官方网站下载地址职业深度!一文了解2021年全球及我国存储芯片职业商场规划、竞赛格式及开展远景

发布时间:2021-07-24 20:58:08 来源:安博体育登录入口 作者:安博电竞注册

  在国家大力支持半导体工业开展的大布景下,我国半导体存储器基地于2016年开工建造。半导体职业敏捷开展推进我国存储芯片运用场景不断拓展。

  当时我国存储芯片在各范畴的运用处于起步开展阶段,可老练运用各相关存储芯片产品的企业数量稀疏,全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash商场被韩国、日本、美国企业所占有。

  存储芯片,又称半导体存储器,是以半导体电路作为存储前言的存储器,用于保存二进制数据的回忆设备,是现代数字体系的重要组成部分。存储芯片按依照断电后数据是否丢掉,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。

  存储芯片职业工业链上游参与者为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料供货商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备和检测与测验设备等设备供货商;职业中游为存储芯片制作商,首要担任存储芯片的规划、制作和出售,芯片具有较高技能壁垒,致使存储芯片开发难度高;职业工业链下流参与者为消费电子、信息通讯、高新科技技能和轿车电子等运用范畴内的企业。

  在全球大力开展高新技能和“我国制作2025”深化推进的布景下,人工智能、物联网、云核算等新式职业开展态势向好,各类电子化和智能化设备都离不开存储芯片运用。存储芯片是下流电子产品的要害部件,其质量直接影响到产品的安稳性、集成度和产品良率。

  存储芯片是半导体工业的重要分支,约占全球半导体商场的四分之一至三分之一。依据国际半导体交易核算(WSTS)数据显现,2019年全球半导体商场规划为4123.07亿美元,其间存储芯片商场规划为1064亿美元,占半导体职业出售额的25.8%。

  2020年12月1日,WSTS发布了最新半导体商场猜测,估计2020年全球半导体商场规划在4331亿美元左右。其间除了光电和分立器材,添加最大的是存储芯片,2020全年商场规划约为1194亿美元。

  从前史体现上看,存储芯片职业总是处于替换出现的涨跌循环之中,其工业周期强于电子元器材商场全体的周期性:存储芯片产品需求量大、标准化程度高,用户和产品粘性弱;职业规划效应显着,下流需求简单被敏捷推进。

  因此在需求端,新式运用范畴的出现会影响存储芯片的商场需求;而在供应端存储芯片厂商往往在景气量上行周期有较强扩展产能的志愿,在景气量下行周期则经过降价来整理库存,从而导致存储芯片价格出现涨跌循环。

  从商场规划增速来看,全球半导体商场规划增速与存储芯片增速走势根本共同,2017年后,二者增速均显着下降,2019年全球半导体商场增速为-12.05%,存储芯片商场增速为-32.66%,阐明存储芯片和半导体职业均出现下行,2020年职业有所上升。

  2019年,我国购买了全球34%的DRAM芯片,排名全球第二,仅次于美国的39%。得益于智能手机的开展,我国区域对NAND闪存的需求规划占比全球最大,依据Yole的数据,2019年我国区域NAND闪存商场出售额占全球37%,其次是美国的31%。

  在“互联网+”的布景下,智能手机功用逐渐多样化,掩盖很多运用范畴,促进商场对智能手机的存储空间要求不断进步以满意顾客对移动互联网的运用体会。2016年后,我国智能手机等消费电子运用商场敏捷扩张促进了存储芯片商场需求快速开释。

  2014-2019年,我国存储芯片商场规划由1274亿元添加至2697亿元,年均复合添加率到达16.18%,前瞻开端预算,2020年我国存储芯片商场规划打破3000亿元。

  近年来,三星、铠侠、SK海力士等出资建厂不断,其间三星和铠侠/西部数据最为活跃。三星在我国的西安二期1阶段在2020年投产,二期第二阶段项目将在2021年下半年竣工,一起平泽P2工厂出资8兆韩元新建NAND Flash产线下半年开端量产,以及还在规划新建P3工厂。

  铠侠与同出资的岩手县北上市新工厂K1已在2020上半年开端少数出产,在四日市存储器出产基地北侧,Fab7工厂土地正在开工中,建造将分两个阶段,第一阶段建造方案于2022年春季完结。别的,铠侠还宣告将扩建日本岩手县出产基地,将在现有的K1工厂旁扩产K2厂区,将于2021年春季开端,2022年春季完结。

  美光正在新建A3工厂洁净室,预估将在2021年投入量产1Znm或1α技能,一起美光也方案将在2021年提出建造A5厂项意图请求,继续加码出资DRAM,将用于1Znm制程之后的微缩技能开展,进一步扩展先进技能的量产规划。

  SK海力士于2018年出资3.5兆韩元(约合31.4亿美元)在京畿道利川新建一座存储器M16工厂,利川M16厂估计将在2021年上半年投片,下半年产品出货。

  存储芯片职业归于技能密集型工业,我国存储芯片职业起步晚,缺少技能经历累积。尽管我国本乡长江存储、合肥长鑫和福州晋华三大存储芯片企业已逐渐完善NAND和DRAM工业布局,但各家存储芯片产品仍处于投产初期,没有完成产品的规划量产。与国外存储芯片制作商比较,我国存储芯片技能根底薄弱,此为约束职业开展的首要因素。

  从存储芯片细分产品来看,现在DRAM和NAND Flash占有了存储芯片95%以上的商场比例。依据IC Insights发布的数据显现,DRAM出售额在2020年约占整个存储商场的53%,闪存的比重约到达45%,其间NAND闪存为44%,NOR闪存为1%,其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM等)将会缓慢生长,但大幅抢下市占的可能性并不高。

  现在,DRAM芯片的商场格式是由三星、SK海力士和美光控制,三大巨子商场占有率算计已超越95%,而三星一家公司市占率就现已迫临50%。寡头独占的格式使得我国企业对DRAM芯片议价才能很低,也使得DRAM芯片成为我国受外部约束最严峻的根底产品之一。

  2020年,DRAM企业格式全体改变不大,头部企业比例小幅被揉捏,CR5由2018年Q1的99%下降至2020年Q4的98.4%,仍为高度集中商场。

  NAND Flash经过几十年的开展,现已形成了由三星、铠侠、、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的安稳商场格式。自2019后其他厂商如我国的长江存储渐渐进入全球视野,但市占率依然较低。

  从我国存储芯片职业竞赛格式来看,商场首要由国外存储芯片巨子领导,细分范畴也落后于国外及台湾厂商(如NOR Flash的旺宏/华邦等),但近年来国内厂商奋力追逐,已在部分范畴完成打破,逐渐缩小与国外原厂的距离,其间,兆易立异位列NOR Flash商场前三,聚辰股份在EEPROM芯片范畴市占率全球第三,长江存储128层3DNAND存储芯片,直接越过96层,加速赶超国外厂商先进技能。

  值得注意的是,集团旗下还包括长鑫存储(CXMT),意味着集团一起握有我国NOR Flash与DRAM的自主研制才能,扮演我国半导体开展的重要人物。

  在全球千亿级美元存储芯片商场规划中,我国厂商全体营收规划较小。从我国存储芯片职业首要上市公司来看,兆易立异存储芯片经营收入抢先其他企业,2019年为255558.64万元;紫光国芯排名第二,2019年存储芯片经营收入为84287.41万元;2019年存储芯片(EEPROM)经营收入为45250.56万元;普冉半导体存储芯片(EEPROM和NOR Flash)经营收入为36045.29万元。

  从首要存储芯片开展趋势来看,DRAM的技能开展途径是以微缩制程来进步存储密度。制程工艺进入20nm之后,制作难度大幅进步,内存芯片厂商对工艺的界说从详细的线宽转变为在详细制程范围内进步二或三代技能来进步存储密度。

  比如,1X/1Y/1Z是指10nm等级第一代、第二代、第三代技能。现在商场上DRAM的运用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm,三星、美光、海力士等巨子厂商均已开宣布1Znm制程的DRAM。

  NAND Flash制程现已到达极限,现在,厂商们另辟蹊径从2D转向3D开展,意图是经过添加芯片的堆叠层数来取得更大的存储容量,而堆叠层数添加意味着光刻次数也随之添加。

  跟着新科技如人工智能、AR/VR、物联网兴起以及下流消费电子、轿车电子的微弱需求,全球半导体需求有望得到复苏,推进存储芯片需求上升。依据WSTS猜测,全球存储芯片商场有望在2021年重回添加轨迹,商场规划打破1300亿美元,前瞻估计到2026年全球存储芯片商场规划有望打破2000亿美元。

  从我国商场来看,以智能手机、核算机等消费电子范畴和云核算、大数据等高新科技技能范畴为代表的存储芯片运用推进了存储芯片商场需求添加。

  此外,在中美交易战中,美国经过多种方法约束对华出口高科技产品。受此影响,我国加大力度开展半导体职业,国产存储芯片的开展势头愈加迅猛,一些企业对国产存储芯片的代替也愈加火急。

  我国政府经过方针引导和工业资金扶持,鼓舞本乡存储芯片企业加强技能研制,以削减与国外企业的距离,完成我国存储芯片自主研制,加速国产代替进口。

  跟着本乡存储芯片企业研制动力不断增强,我国有望在5年内进步存储芯片技能水平,进步产品本乡自给率。到2026年,我国存储芯片商场规划有望到达5598亿元,占全球存储芯片消费商场比重到达40%左右。

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