芯东西7月13日报导，昨日，半导体设备厂商拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）申报科创板IPO已获受理。拓荆科技主经营务为半导体薄膜堆积设备的研制、出产和出售，其首要产品包含等离子体增强化学气相堆积（PECVD）设备、原子层堆积（ALD）设备和次常压化学气相堆积（SACVD）设备三个系列。
现在拓荆科技的产品已广泛使用于国内的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制作产线nm及以下制程产品验证测验。
在半导体制程中，为了对所运用的资料赋与某种特性，在资料表面上常以各种办法构成薄膜而加以运用，这种薄膜构成的进程一般称为薄膜堆积。半导体薄膜堆积设备和光刻机、刻蚀机相同，是芯片制作的三大主设备。
2018年-2020年，拓荆科技营收增加较快，从7064.4万元增加至4.36亿元，复合增加率达148.32%。
本次IPO拓荆科技方案募资10亿元，方案别离用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技能研制与改善、ALD设备研制与工业化和弥补流动资金4个项目。
国家集成电路基金为拓荆科技榜首大股东，所占股份份额为26.48%。因为最近2年内，拓荆科技榜首大股东所持股权份额缺乏控股，其他股东持股份额相对涣散，所以拓荆科技不存在控股股东。2019年1月1日至今，拓荆科技无实践操控人。
陈述期内，2018年-2020年拓荆科技经营收入别离为7064.40万元、2.51亿元和4.36亿元，2021年榜首季度其营收为5774.10万元。2019年和2020年拓荆科技营收较上年同期增幅别离为255.66%和73.38%。
净利润方面，拓荆科技至今仍在继续亏本，但亏本金额有所削减。2018年-2020年拓荆科技净利润别离为-1.03亿元、-1936.64万元和-1087.57万元，2021年榜首季度净利润为-944.59万元。
陈述期内，拓荆科技2018年-2021年榜首季度各期研制费用别离为1.08亿元、7431.87万元、1.23亿元和2714.86万元，占各期经营收入的份额别离为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。较大的研制投入是拓荆科技亏本的首要原因之一。
拓荆科技产品首要分为等离子体增强化学气相堆积（PECVD）设备、原子层堆积（ALD）设备和次常压化学气相堆积（SACVD）设备三个系列。陈述期内PECVD设备收入占总营收份额一向超越75%，事务收入增速也较快，是拓荆科技的首要收入来历。
2018年、2019年、2020年和2021年榜首季度PECVD设备收入占拓荆科技总营收份额别离为77.98%、100%、97.55%和100%。别的两项事务仍处于商场开辟阶段，2021年榜首季度2项事务收入为0。
从出售状况来说，拓荆科技客户较为会集。其PECVD设备的首要客户有中芯世界、华虹集团、长江存储和重庆万国半导体科技有限公司；ALD设备首要客户为上海集成电路研制中心有限公司（ICRD）；SACVD设备的首要客户则是北京燕东微电子科技有限公司。
其间，中芯世界、华虹集团和长江存储从2018年至2021年榜首季度一向为拓荆科技前五大客户。
在供给方面，拓荆科技收购的原资料首要包含机械类、机电一体类、电气类、气体运送系统、真空系统和隶属设备等。
从商场上来看，全球半导体薄膜堆积设备商场首要由美国使用资料、美国泛林半导体、日本东京电子、荷兰先晶半导体等企业占有主导地位。
招股书显现，2019年，在全球化学气相堆积（CVD）设备商场中，使用资料、泛林半导体、东京电子的商场占有率别离为30%、21%和19%；在ALD设备全球商场中，东京电子（TEL）、先晶半导体（ASMI）的商场占有率别离为31%和29%。
比较于上述公司，拓荆科技在营收、毛利率和净利润等盈余指标上存在较大距离，在融资途径和研制经费上相对缺乏。此外，拓荆科技的事务收入也比较会集，相对外国半导体设备巨子来说企业认知度缺乏，面对必定的商场进入壁垒。
另一方面来看，拓荆科技已构成掩盖20余种工艺类型的薄膜堆积设备，满意晶圆制作产线多种工艺需求。其产品整体功能和要害功能参数已达到世界同类设备水平。
在研制团队方面，拓荆科技研制人员共有142人，占公司员工总数的43.56%。其间心技能人员有公司创始人兼董事姜谦、董事长吕光泉、总司理田晓明、副总司理张孝勇、副总司理周坚、监事会主席兼资深技能总监叶五毛和产品部总监宁建相等7人。
其间，姜谦和田晓明具有35年的半导体设备职业经历，吕光泉则具有27年的高端半导体设备职业研制、管理经历。3人都是美国国籍。
姜谦曾在美国布兰迪斯大学获博士学位。1982年1月至1984年6月，姜谦任麻省理工学院资料科学工程中心研究员。1984年7月，姜谦于英特尔上任，历任工程师、研究员、项目司理、部门司理等多个职位。尔后他在美国诺发、欣欣科技（沈阳）有限公司担任过副总裁和履行董事职务。2010年4月至今，姜谦任职于拓荆科技。
吕光泉为美国加州大学圣地亚哥分校博士，1994年8月至1996年4月，他任美国科学基金会顶级电子资料研究中心电子资料副研究员；1996年4月至2007年7月，吕光泉上任于美国诺发，历任高档工程师、PECVD工艺研制部司理、项目主任兼工艺研制高档司理、ALD技能高档司理；2007年7月至2014年8月，他上任于德国爱思强公司。2014年9月至今，吕光泉于拓荆科技任职。
田晓明则有美国东北大学电子工程学硕士和新加坡南洋理工大学工商管理硕士学位。1991年9月至1994年12月，田晓明任美国Codi Semiconductor,Inc.工艺开发司理；1994年12月至2008年10月，他上任于泛林半导体，担任过资深工艺工程师、资深工艺研制司理、资深大客户司理、我国区技能总监等职位；2008年10月至2018年2月，田晓明为尼康精机（上海）有限公司资深副总裁；尔后，田晓明上任于拓荆科技。
技能堆集方面，拓荆科技，在机台结构、传动模块、反响腔体、要害结构件、气路、温度操控系统等方面，构成了一系列自研规划，构建了较为完善的知识产权系统。到招股书签署日，拓荆科技累计已获授权的专利167项，其间发明专利合计86项。
依据招股书，本茨发行前拓荆科技的前三大股东别离为国家集成电路基金、国投上海和中微半导体，其所持股份份额别离为26.48%、18.23%和11.20%。中微半导体也提名了其董事长兼总司理尹志尧作为拓荆科技董事。
在新建晶圆厂中，薄膜堆积设备作为晶圆制作的要害一环，其投资规模占晶圆制作设备总投资的25%左右。当时，全球薄膜堆积设备商场份额被使用资料、泛林半导体、东京电子等职业巨子所占有。
拓荆科技作为我国薄膜堆积设备头部厂商之一，基本上代表了我国PECVD等产品的水平。其IPO假如可以成功，对我国薄膜堆积设备工业技能实力有着积极影响。但值得注意的是，拓荆科技当时收入较为依靠PECVD设备，ALD、SACVD设备处于商场开辟阶段，盈余周期有着不确定性。回来搜狐，检查更多
