近来，Gartner发布了他们对2020年半导体的营收猜测。依照他们的说法，继2019年下降12％之后，2020年全球半导体收入反弹至总计4，498亿美元，较2019年添加7.3％。
在文章中，他们还披露了2020年前十大的半导体厂商。如下图所示，十大半导体厂商中，英特尔依然是排名最前的厂商，估计他们在2020年的营收超越700亿美元，排名第二的是三星电子，得益于存储芯片的出售，该公司在2020年的营收同比添加了7.7%。
榜单中值得重视的一个点是高通在本年的营收反超博通，成为全球第五，而MTK、铠侠英伟达则添加敏捷，分别从2019年的13、14和16跃升为本年的第八、第九和第十。值得一提的是，傍边尤其是MTK添加最凶，同比添加38.3%，营收初次打破百亿美元。而以上三家和高通一同，成为上一年添加超越30%的四家半导体厂商。
Gartner研讨副总裁Andrew Norwood说：“2020年头，人们认为COVID-19将对一切终端设备商场产生负面影响，但实践影响会愈加纤细。轿车，工业和消费商场的某些范畴遭到企业和顾客开销削减的冲击。可是，封闭极大地添加了家庭和在线学习的作业量，任何促进了这些活动的商场都从中获益。
“服务器需求微弱，因为超大规模客户（2020年占服务器需求的65％以上）急于添加容量以应对2020年上半年确定期间的额定需求。此外，企业和顾客对PC的微弱需求也将随之而来。在家作业和学习的添加导致CPU，NAND闪存和DRAM的微弱添加。”
英特尔在2020年的收入方面坚持全球第一大半导体供货商的方位，其次是三星电子，SK hynix和美光（拜见上图）。英特尔的半导体收入添加了3.7％，这得益于其间心客户端和服务器CPU事务的添加。
虽然在全体经济放缓的智能手机商场，5G的强壮的智能手机出售协助推进半导体公司，如高通和联发科，以微弱的添加在2020年的添加5G正在抵消较弱的体系单元的添加与进步半导体美元的内容，包含更高ASP 的5G芯片组以及其他RF前端组件和电源办理IC。
Gartner指出，内存是2020年功用最佳的设备类别，得益于服务器构建的添加以及PC和超移动设备（从家庭作业和学习的改变）的需求。2020年，全球存储器收入添加了135亿美元，占2020年半导体全体收入添加的44％。
在存储器中，NAND闪存体现最佳，收入添加23.9％，到达528亿美元，比2019年添加102亿美元。因为2020年供给特别有限，这导致价格在2020年上半年飙升，约束了全体年度价格到2020年将降至2％。虽然超大规模客户和PC OEM的需求微弱，但这种大盛行的影响的确导致2020年下半年的供过于求状况，然后按捺了全体年度收入添加。
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ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动运用程序的平板电脑和智能手机
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ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序
，零件编号和产品 技能数据表下载和离线咨询一系列的查找功用 拜访首要产品规格（首要电气参数，产品一般阐明，首要特色和商场方位） 对产品和数据表保藏栏目 能够经过交际媒体或经过电子邮件同享技能文档 可在安卓™和iOS™运用商铺 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的运用程序，它能够让你探究运用便携式设备的ST二极管的产品组合。您能够轻松地界说设备最适宜运用参数或一系列的查找引擎运用程序。您还能够找到你的产品因为选用了高效的零件号的查找引擎。...
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS
引导查找 部分号码查找才能 首要产品功用发现 数据表下载和离线咨询 产品功用同享经过电子邮件或交际媒体 样品订货所选产品的 主屏幕上的言语挑选 ST-EEPROM-FINDER是探究意法半导体串行EEPROM组合最快和最正确的办法运用智能电话或平板。
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动运用程序的平板电脑和智能手机
或产品号的产品查找才能 技能数据表下载和离线咨询 拜访首要产品规格（首要电气参数，产品一般阐明，首要特色和商场方位） 对产品和数据表 能够经过交际媒体或经过电子邮件同享技能文档 适用于Android保藏节™和iOS™运用商铺 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的运用程序，它能够让你探究的ST功率MOSFET产品组合运用便携设备。您能够轻松地界说设备最适宜运用参数查找引擎运用程序。您还能够找到你的产品因为选用了高效的零件号的查找引擎。...
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信息优势和特色 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器形式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（沟通或双极性作业形式） I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器改写 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品概况AD5175是一款单通道1024位数字变阻器，集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体，选用紧凑型封装。该器材既能够选用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也能够选用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可经过I²C兼容型数字接口操控。将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整。AD5175不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝，并供给50次永久编程的时机。在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻方位固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。确保作业温度规模为−40°C至+125°C扩展...
信息优势和特色 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数（变阻器形式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（沟通或双极性作业形式） SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器改写 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品概况AD5174是一款单通道1024位数字变阻器，集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体，选用紧凑型封装。 该器材既能够选用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也能够选用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可经过SPI数字接口操控。将电阻值编程写入50-TP存储器之前，可进行无限次调整。AD5174不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝，并供给50次永久编程的时机。在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将电阻方位固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。确保作业温度规模为−40°C至+125°C扩展工业...
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差（R-TOL）、1024位数字电位计，具有20次可编程存储器
信息优势和特色 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差差错（电阻功用形式）：±1%（最大值） 20次可编程游标存储器 温度系数（变阻器形式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性，请参阅数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度规模：−55°C至+125°C 受操控作基线 仅有封装/测验厂 仅有制作厂 增强型产品改变告诉 认证数据可应要求供给 V62/12616 DSCC图纸号产品概况AD5292是一款单通道1024位数字电位计1，集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体，选用紧凑型封装。这些器材能够在宽电压规模内作业，支撑±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电，一起确保端到端电阻容差差错小于1%，并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界抢先的确保低电阻容差差错特功用够简化开环运用，以及精细校准与容差匹配运用。AD5291和AD5292的游标设置可经过SPI数字接口操控。将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整。这些器材不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝，并供给20次永久编程的机...
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差（R-Tol）、256位数字电位计，具有20次可编程存储器
信息优势和特色 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻功用形式） 20次可编程 温度系数（变阻器形式）：35 ppm/°C 温度系数（分压器形式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性，请参阅数据手册 产品概况AD5291/AD5292归于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列，分别是单通道256/1024位数字电位计1 ，集业界抢先的可变电阻功用与非易失性存储器(NVM)于一体，选用紧凑型封装。这些器材的作业电压规模很宽，既能够选用±10.5 V至±16.5 V双电源供电，也能够选用+21 V至+33 V单电源供电，一起端到端电阻容差差错小于1%，并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界抢先的确保低电阻容差差错特功用够简化开环运用，以及精细校准与容差匹配运用。AD5291/AD5292的游标设置可经过SPI数字接口操控。将电阻值编程写入20-TP存储器之前，可进行无限次调整。这些器材不需求任何外部电压源来协助熔断熔丝，并供给20次永久编程的时机。在20-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会将游标方位固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5291/AD52...
信息优势和特色 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写维护功用 上电康复至EEMEM设置，改写时刻典型值为300 µs EEMEM重写时刻：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM供给12个额定字节，可存储用户自界说信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预界说线性递加/递减指令 预界说±6 dB阶跃改变指令 欲了解更多信息，请参阅数据手册产品概况AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 选用非易失性存储器的数字操控电位计，可完成与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功用。AD5253/AD5254具有多功用编程才能，能够供给多种作业形式，包含读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递加/递减、电阻以±6 dB的份额改变、游标设置回读，并额定供给EEMEM用于存储用户自界说信息，如其它器材的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。主控I2C操控器能够将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，体系上电时这些设置将主动康复至RDAC寄存器；也能够动态康复这些设置。在同步或异步通...
信息优势和特色 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置，并具有写维护功用 上电康复为EEMEM设置，改写时刻典型值为300 µs EEMEM重写时刻：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM供给12个额定字节，可存储用户自界说信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预界说线性递加/递减指令 预界说±6 dB阶跃改变指令 欲了解更多特性，请参阅数据手册产品概况AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 选用非易失性存储器的数字操控电位计，可完成与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功用。AD5253/AD5254具有多功用编程才能，能够供给多种作业形式，包含读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递加/递减、电阻以±6 dB的份额改变、游标设置回读，并额定供给EEMEM用于存储用户自界说信息，如其它器材的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。主控I2C操控器能够将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，体系上电时这些设置将主动康复至RDAC寄存器；也能够动态康复这些设置。在同步或异步通...
信息优势和特色 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功用 线性递加/递减预界说指令 ±6 dB对数阶梯式递加/递减预界说指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，改写时刻小于1 ms 非易失性存储器写维护 数据保存期限：100年（典型值， TA = 55°C ）产品概况AD5252是一款双通道、数字操控可变电阻(VR)，具有256位分辨率。它可完成与电位计或可变电阻相同的电子调整功用。该器材经过微操控器完成多功用编程，能够供给多种作业与调整形式。在直接编程形式下，能够从微操控器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种首要作业形式下，能够用曾经存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，能够经过履行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就能够主动传输至RDAC寄存器，以便在体系上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也能够从外部拜访预设值。根本调整形式便是在游标位设置(RDAC)寄...
信息优势和特色 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功用 线性递加/递减预界说指令 ±6 dB对数阶梯式递加/递减预界说指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，改写时刻小于1 ms 非易失性存储器写维护 数据坚持才能：100年（典型值，TA = 55°C ）产品概况AD5251是一款双通道、数字操控可变电阻(VR)，具有64位分辨率。它可完成与电位计或可变电阻相同的电子调整功用。该器材经过微操控器完成多功用编程，能够供给多种作业与调整形式。在直接编程形式下，能够从微操控器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种首要作业形式下，能够用曾经存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，能够经过履行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就能够主动传输至RDAC寄存器，以便在体系上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也能够从外部拜访预设值。根本调整形式便是在游标位设置(RDAC)寄存器...
信息优势和特色 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差差错：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电改写EEMEM设置 永久性存储器写维护 电阻容差贮存于EEMEM中 26字节额定非易失性存储器，用于存储用户界说信息 1M编程周期 典型数据保存期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度规模：-40℃至+125°C 受操控作基线 一个安装/测验厂 一个制作厂 增强型产品改变告诉 认证数据可应要求供给 V62/11605 DSCC图纸号产品概况AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2，具有1024阶跃分辨率，确保最大低电阻容差差错为±8%。该器材可完成与机械电位计相同的电子调整功用，并且具有增强的分辨率、固态可靠性和超卓的低温度系数功用。经过SPI®-兼容串行接口，AD5235具有灵敏的编程才能，支撑多达16种作业形式和调理形式，其间包含暂存编程、存储器存储和康复、递加/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读，一起供给额定的EEMEM1 ，用于存储用户界说信息，如其他元件的存储器数据、查找表、体系标识信息等。...
信息优势和特色 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时运用EEMEM设置改写 EEMEM康复时刻：140 µs（典型值） 彻底单调性作业 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写维护 游标设置回读功用 预界说线性递加/递减指令 预界说±6 dB/步对数阶梯式递加/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品概况AD5231是一款选用非易失性存储器*的数字操控电位计**，供给1024阶分辨率。它可完成与机械电位计相同的电子调整功用，并且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控才能。该器材功用丰厚，可经过一个规范三线式串行接口进行编程，具有16种作业与调整形式，包含便笺式编程、存储器存储与康复、递加/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额定供给EEMEM用于存储用户自界说信息，如其它器材的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。在便笺式编程形式下，能够将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置能够存储在EEMEM中，并在体系上电时主动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容能够动态康复，或许经过外部PR选通脉冲予以康复；WP功用则可维护EE...
28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器材，内部安排为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支撑串行外设接口（SPI）协议。经过片选（ CS ）输入使能器材。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通讯。该器材具有软件和硬件写维护功用，包含部分和悉数阵列维护。 片上ECC（纠错码）使该器材适用于高可靠性运用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件维护 低功耗CMOS技能 SPI形式（0,0& 1,1） 工业温度规模 自守时写周期 64字节页面写缓冲区 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或一切EEPROM阵列 1,000,000方案/年代se周期 100年数据保存 8引脚SOIC，TSSOP和8焊盘TDFN，UDFN封装 此设备无铅，无卤素/ BFR，契合RoHS规范 其他辨认具有永久写维护的页面 运用 轿车体系 通讯体系 核算机体系 顾客体系 工业体系 电路图、引脚图和封装图...
56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器材，内部安排为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支撑串行外设接口（SPI）协议。经过片选（ CS ）输入使能器材。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通讯。该器材具有软件和硬件写维护功用，包含部分和悉数阵列维护。 片上ECC（纠错码）使该器材适用于高可靠性运用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压规模 SPI形式（0,0）& （1,1） 64字节页面写缓冲区 具有永久写维护的附加标识页（新产品） 自守时写周期 硬件和软件维护 100年数据保存期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技能 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度规模 8引脚SOIC ，TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器材无铅，无卤素/ BFR，以及契合RoHS规范 运用 轿车体系 Communica tions Systems 核算机体系 顾客体系 工业体系 ...
信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器材，内部安排为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技能大大降低了器材的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区，并支撑串行外设接口（SPI）协议。该器材经过片选（）启用。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通讯。该器材具有软件和硬件写维护功用，包含部分和悉数阵列维护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压规模 SPI形式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自守时写入周期 硬件和软件维护 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技能 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度规模 PDIP，SOIC，TSSOP 8引脚和TDFN，UDFN 8焊盘封装 这些器材无铅，无卤素/ BFR，契合RoHS规范...
60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器材，内部安排为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区，并支撑串行外设接口（SPI）协议。经过片选（ CS ）输入使能器材。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通讯。这些器材具有软件和硬件写维护功用，包含部分和悉数阵列维护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压规模 SPI形式（0,0& 1,1） 32字节页面写入缓冲区 自守时写周期 硬件和软件维护 块写维护 - 维护1 / 4,1 / 2或悉数EEPROM阵列 低功耗CMOS技能 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业温度规模 契合RoHS规范的8引脚SOIC，T SSOP和8-pad UDFN软件包 运用 轿车体系 通讯体系 核算机体系 顾客体系 工业体系 电路图、引脚图和封装图...
